Huawei, yeni nesil Kirin 2026 mobil işlemcisi için geliştirdiği teknolojileri kamuoyuyla paylaştı. ABD yaptırımları nedeniyle gelişmiş EUV litografi ekipmanlarına erişemeyen şirket, bunun yerine hibrit bağlama ve 3D yığın tasarımına dayanan yeni bir üretim yaklaşımı geliştirdi. Huawei'nin yayımladığı teknik makaleye göre bu yöntem, işlemci bileşenlerini dikey olarak istifleyerek daha yüksek transistör yoğunluğu elde etmeyi amaçlıyor. Aynı zamanda veri iletim mesafesini önemli ölçüde azaltan yeni mimari sayesinde performansın artırılması, enerji tüketiminin düşürülmesi ve bant genişliğinin yükseltilmesi hedefleniyor. Şirket, yeni teknolojinin özellikle yapay zekâ işlemleri gibi yüksek işlem gücü gerektiren uygulamalarda önemli avantajlar sağlayacağını öngörüyor.
Huawei'nin geliştirdiği yeni mimaride işlemci bileşenleri yatay yerine dikey olarak yerleştiriliyor.
CPU, GPU, NPU ve DRAM gibi bileşenler arasındaki bağlantılar daha kısa hale gelirken, veriler milimetre yerine mikrometre ölçeğindeki mesafelerde taşınabiliyor.
Bu sayede iletişim hızı artarken güç tüketiminin de azaltılması hedefleniyor.
Şirket, hibrit bağlama teknolojisinin bant genişliğini artıracağını ve enerji verimliliğine katkı sağlayacağını belirtiyor.
Huawei'nin teknik çalışması, gelişmiş litografi yerine paketleme teknolojilerine ağırlık verdiğini ortaya koyuyor.
Şirket, mevcut üretim imkanlarıyla daha rekabetçi mobil işlemciler geliştirmeyi hedeflerken, sektörde Samsung ve Apple gibi üreticiler de farklı paketleme çözümleri üzerinde çalışmalarını sürdürüyor.
Huawei'nin geliştirdiği yeni yaklaşımın, gelecek nesil Kirin işlemcilerde performans ve verimlilik açısından önemli gelişmeler sunması bekleniyor.
